casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M8D3B-12BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C128M8D3B-12BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M8D3B-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3B-12BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3B-12BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M8D3B-12BINTR-FT |
AS7C316096A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8008A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel