casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M8D3A-12BIN
codice articolo del costruttore | AS4C128M8D3A-12BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M8D3A-12BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3A-12BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3A-12BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M8D3A-12BIN-FT |
AS6C6416-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel