casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C8016-55TINTR
codice articolo del costruttore | AS6C8016-55TINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C8016-55TINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016-55TINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016-55TINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C8016-55TINTR-FT |
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel