casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M8D3A-12BAN
codice articolo del costruttore | AS4C128M8D3A-12BAN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M8D3A-12BAN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M8D3A-12BAN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3A-12BAN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M8D3A-12BAN-FT |
AS4C16M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel