casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M8D3-12BCNTR
codice articolo del costruttore | AS4C128M8D3-12BCNTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M8D3-12BCNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3-12BCNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3-12BCNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M8D3-12BCNTR-FT |
AS7C34096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation