casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3PDHM3_A/H
codice articolo del costruttore | AS3PDHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-AS3PDHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
AS3PDHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 37pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3PDHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3PDHM3_A/H-FT |
SS10P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel