casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3BDHM3_A/H
codice articolo del costruttore | AS3BDHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-AS3BDHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AS3BDHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3BDHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3BDHM3_A/H-FT |
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS355WTE-17
Rohm Semiconductor
1SS388(TL3,F,D)
Toshiba Semiconductor and Storage
20ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel