casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 20ETF06FP
codice articolo del costruttore | 20ETF06FP |
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Numero di parte futuro | FT-20ETF06FP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20ETF06FP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 160ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC Full Pack |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF06FP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 20ETF06FP-FT |
1N5814R
Microsemi Corporation
1N5815
Microsemi Corporation
1N5815R
Microsemi Corporation
1N5816
Microsemi Corporation
1N5816R
Microsemi Corporation
1N5817A-01
Diodes Incorporated
1N5819HW-13
Diodes Incorporated
1N5819UR-1/TR
Microsemi Corporation
1N5820-A
Diodes Incorporated
1N5821-A
Diodes Incorporated
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel