casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3BD-M3/I
codice articolo del costruttore | AS3BD-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-AS3BD-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS3BD-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3BD-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3BD-M3/I-FT |
1PS70SB14F
Nexperia USA Inc.
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS355WTE-17
Rohm Semiconductor
1SS388(TL3,F,D)
Toshiba Semiconductor and Storage
20ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel