casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIJA58ADP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIJA58ADP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIJA58ADP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIJA58ADP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32.3A (Ta), 109A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3030pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIJA58ADP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIJA58ADP-T1-GE3-FT |
DMP22D4UFO-7B
Diodes Incorporated
FDFMA2P029Z-F106
ON Semiconductor
DMN63D1LT-7
Diodes Incorporated
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated
DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
DMPH4013SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMG1013TQ-7
Diodes Incorporated
DMP2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel