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Microsemi Corporation APTM100A13DG

Name: APTM100A13DG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100A13DG
Price: 126.46856 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (564 reviews)

Numero parte MFG: APTM100A13DG

quantità disponibile: 57380 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 126.46856

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTM100A13DG.pdf

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APTM100A13DG specificazioni

codice articolo del costruttore	APTM100A13DG
Numero di parte futuro	FT-APTM100A13DG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APTM100A13DG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	562nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15200pF @ 25V
Potenza - Max	1250W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP6
Pacchetto dispositivo fornitore	SP6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100A13DG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTM100A13DG-FT

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