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Microsemi Corporation APTGV50H120T3G

Name: APTGV50H120T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGV50H120T3G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (706 reviews)

Numero parte MFG: APTGV50H120T3G

quantità disponibile: 60660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTGV50H120T3G.pdf

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APTGV50H120T3G specificazioni

codice articolo del costruttore	APTGV50H120T3G
Numero di parte futuro	FT-APTGV50H120T3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APTGV50H120T3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	NPT, Trench Field Stop
Configurazione	Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	75A
Potenza - Max	270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	3.6nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGV50H120T3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTGV50H120T3G-FT

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