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codice articolo del costruttore | APTGT100SK170TG |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT100SK170TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT100SK170TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 560W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100SK170TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT100SK170TG-FT |
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
FD400R07PE4RB6BOSA1
Infineon Technologies
FD401R17KF6C_B2
Infineon Technologies
FF300R06KE3B2HOSA1
Infineon Technologies
F450R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
F475R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
FF400R07A01E3S6XKSA2
Infineon Technologies
FS200R07A5E3S6BPSA1
Infineon Technologies
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel