casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGLQ30H65T3G
codice articolo del costruttore | APTGLQ30H65T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGLQ30H65T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGLQ30H65T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Potenza - Max | 95W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.9nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ30H65T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGLQ30H65T3G-FT |
IFS150B12N3E4PB50BPSA1
Infineon Technologies
IFS150B17N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT3HOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
F4-50R07W2H3_B51
Infineon Technologies
FD600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FD800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel