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codice articolo del costruttore | APTGF90DH60TG |
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Numero di parte futuro | FT-APTGF90DH60TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGF90DH60TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potenza - Max | 416W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 90A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGF90DH60TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGF90DH60TG-FT |
2LS20017E42W36702NOSA1
Infineon Technologies
2LS20017E42W40403NOSA1
Infineon Technologies
2PS06017E32G28213NOSA1
Infineon Technologies
2PS12017E34W32132NOSA1
Infineon Technologies
2PS12017E44G35911NOSA1
Infineon Technologies
2PS13512E43W35222NOSA1
Infineon Technologies
2PS13512E43W39689NOSA1
Infineon Technologies
4PS03012S43G30699NOSA1
Infineon Technologies
50MT060ULS
Vishay Semiconductor Diodes Division
50MT060WH
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel