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codice articolo del costruttore | APTGF50DH60TG |
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Numero di parte futuro | FT-APTGF50DH60TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGF50DH60TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65A |
Potenza - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGF50DH60TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGF50DH60TG-FT |
GSID100A120T2C1
Global Power Technologies Group
GSID100A120T2C1A
Global Power Technologies Group
GSID100A120T2P2
Global Power Technologies Group
GSID150A120S3B1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S6A4
Global Power Technologies Group
GSID150A120T2C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S3B1
Global Power Technologies Group
GSID200A170S3B1
Global Power Technologies Group
GSID600A120S4B1
Global Power Technologies Group
VS-GB05XP120KTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL080YF484C6G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation