casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1-D080
codice articolo del costruttore | CBR1-D080 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1-D080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-D080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-D080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1-D080-FT |
DF06ST-G
Comchip Technology
DF08ST-G
Comchip Technology
DF15005S-G
Comchip Technology
DF15005ST-G
Comchip Technology
DF1501ST-G
Comchip Technology
DF1502S-G
Comchip Technology
DF1502ST-G
Comchip Technology
DF1506S-G
Comchip Technology
DF1506ST-G
Comchip Technology
DF1508S-G
Comchip Technology
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel