casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / APTC80H29T3G
codice articolo del costruttore | APTC80H29T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTC80H29T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTC80H29T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
Potenza - Max | 156W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTC80H29T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTC80H29T3G-FT |
EPC2100ENG
EPC
EPC2101ENG
EPC
EPC2105ENG
EPC
DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SPD-13
Diodes Incorporated
DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SPDQ-13
Diodes Incorporated
DMC1017UPD-13
Diodes Incorporated
DMN2022UNS-7
Diodes Incorporated
DMC2038LVT-7
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
10M16DCF256C7G
Intel
5SGXMA7K1F40C2N
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22A7N
Intel
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation