casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT80GA60LD40
codice articolo del costruttore | APT80GA60LD40 |
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Numero di parte futuro | FT-APT80GA60LD40 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT80GA60LD40 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 143A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 47A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | 840µJ (on), 751µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 230nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/158ns |
Condizione di test | 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT80GA60LD40 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT80GA60LD40-FT |
STGB10M65DF2
STMicroelectronics
STGB20V60F
STMicroelectronics
STGB30H60DFB
STMicroelectronics
STGB30H60DLFB
STMicroelectronics
STGB30H60DLLFBAG
STMicroelectronics
STGB30H65FB
STMicroelectronics
STGB30M65DF2
STMicroelectronics
STGB30V60F
STMicroelectronics
STGB40H65FB
STMicroelectronics
STGB40V60F
STMicroelectronics
A1010B-PL68C
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C8
Intel
10AX027E3F29I2LG
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C4G
Intel
EP4CE30F29C7
Intel