casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGB30M65DF2
codice articolo del costruttore | STGB30M65DF2 |
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Numero di parte futuro | FT-STGB30M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGB30M65DF2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 258W |
Cambiare energia | 300µJ (on), 960µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 80nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 31.6ns/115ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB30M65DF2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGB30M65DF2-FT |
HGT1S3N60A4DS9A
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HGT1S7N60A4DS
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