casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT75F50L
codice articolo del costruttore | APT75F50L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT75F50L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT75F50L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT75F50L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT75F50L-FT |
BSH105,235
Nexperia USA Inc.
BSH108,215
Nexperia USA Inc.
BSH111,215
Nexperia USA Inc.
BSH111,235
Nexperia USA Inc.
BSN20,215
Nexperia USA Inc.
BSN20,235
Nexperia USA Inc.
BSS138BKVL
Nexperia USA Inc.
BSS84,215
Nexperia USA Inc.
BST82,215
Nexperia USA Inc.
BST82,235
Nexperia USA Inc.