casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT75M50B2
codice articolo del costruttore | APT75M50B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT75M50B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT75M50B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT75M50B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT75M50B2-FT |
APT7F120B
Microsemi Corporation
APT38N60BC6
Microsemi Corporation
APT47N60BC3G
Microsemi Corporation
APT30M70BVRG
Microsemi Corporation
APT53N60BC6
Microsemi Corporation
APT17F100B
Microsemi Corporation
APT30N60BC6
Microsemi Corporation
APT10078BLLG
Microsemi Corporation
APT11F80B
Microsemi Corporation
APT1201R4BFLLG
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel