casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT75M50B2
codice articolo del costruttore | APT75M50B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT75M50B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT75M50B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT75M50B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT75M50B2-FT |
APT7F120B
Microsemi Corporation
APT38N60BC6
Microsemi Corporation
APT47N60BC3G
Microsemi Corporation
APT30M70BVRG
Microsemi Corporation
APT53N60BC6
Microsemi Corporation
APT17F100B
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APT30N60BC6
Microsemi Corporation
APT10078BLLG
Microsemi Corporation
APT11F80B
Microsemi Corporation
APT1201R4BFLLG
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel