casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT56F50B2
codice articolo del costruttore | APT56F50B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT56F50B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT56F50B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 780W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT56F50B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT56F50B2-FT |
APT43F60L
Microsemi Corporation
APT31M100L
Microsemi Corporation
APT5010LFLLG
Microsemi Corporation
APT56F50L
Microsemi Corporation
APT75F50L
Microsemi Corporation
APL502LG
Microsemi Corporation
APT34N80LC3G
Microsemi Corporation
APT43M60L
Microsemi Corporation
APL602LG
Microsemi Corporation
APT20M22LVFRG
Microsemi Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel