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Microsemi Corporation APT34N80B2C3G

Name: APT34N80B2C3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT34N80B2C3G
Price: 9.136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (524 reviews)

Numero parte MFG: APT34N80B2C3G

quantità disponibile: 87750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 9.136

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT34N80B2C3G.pdf

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APT34N80B2C3G specificazioni

codice articolo del costruttore	APT34N80B2C3G
Numero di parte futuro	FT-APT34N80B2C3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APT34N80B2C3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	355nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4510pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	417W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34N80B2C3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT34N80B2C3G-FT

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