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APT32F120J Image

Microsemi Corporation APT32F120J

Numero parte MFG
APT32F120J
quantità disponibile
28940 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 36.972
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APT32F120J specificazioni

codice articolo del costruttore APT32F120J
Numero di parte futuro FT-APT32F120J
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 8™
APT32F120J Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 560nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18200pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT32F120J Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT32F120J-FT

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