casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS416,115
codice articolo del costruttore | BAS416,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS416,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS416,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS416,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS416,115-FT |
BYD37M,115
NXP USA Inc.
BYD77B,115
NXP USA Inc.
BYD77D,115
NXP USA Inc.
PRLL4001,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,135
NXP USA Inc.
PRLL5818,115
NXP USA Inc.
PRLL5819,115
NXP USA Inc.
BYV29B-500,118
WeEn Semiconductors
BYC10B-600,118
WeEn Semiconductors
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel