casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT25GP90BG
codice articolo del costruttore | APT25GP90BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT25GP90BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT25GP90BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 72A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 110A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | 417W |
Cambiare energia | 370µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 110nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 13ns/55ns |
Condizione di test | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT25GP90BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT25GP90BG-FT |
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor
GPA040A120L-FD
Global Power Technologies Group
GPA040A120L-ND
Global Power Technologies Group
GPA042A100L-ND
Global Power Technologies Group
APT50GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT80GA60LD40
Microsemi Corporation
APT50GF120LRG
Microsemi Corporation
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APT102GA60L
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2L
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE2M100E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29I5G
Intel
EP2S130F1508I4
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel