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Microsemi Corporation APT25GP90BDQ1G

Name: APT25GP90BDQ1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT25GP90BDQ1G
Price: 7.781064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (674 reviews)

Numero parte MFG: APT25GP90BDQ1G

quantità disponibile: 75080 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 7.781064

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 7® IGBT 900V 72A 417W TO247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT25GP90BDQ1G.pdf

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APT25GP90BDQ1G specificazioni

codice articolo del costruttore	APT25GP90BDQ1G
Numero di parte futuro	FT-APT25GP90BDQ1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APT25GP90BDQ1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo IGBT	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	900V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	72A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 25A
Potenza - Max	417W
Cambiare energia	370µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	110nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	13ns/55ns
Condizione di test	600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247 [B]
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT25GP90BDQ1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT25GP90BDQ1G-FT

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