casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT24M80B
codice articolo del costruttore | APT24M80B |
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Numero di parte futuro | FT-APT24M80B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT24M80B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4595pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT24M80B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT24M80B-FT |
PMPB15XPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB27EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB43XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB48EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB10XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel