casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB10XNE,115
codice articolo del costruttore | PMPB10XNE,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB10XNE,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB10XNE,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2175pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020MD-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB10XNE,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB10XNE,115-FT |
NX3020NAK,215
Nexperia USA Inc.
2N7002P,235
Nexperia USA Inc.
2N7002CK,215
Nexperia USA Inc.
BSH201,215
Nexperia USA Inc.
PMV16XNR
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2R
Nexperia USA Inc.
NX7002AK,215
Nexperia USA Inc.
PMV20ENR
Nexperia USA Inc.
PMV37EN2R
Nexperia USA Inc.
BSH205G2R
Nexperia USA Inc.
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation