casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT20M45BVRG
codice articolo del costruttore | APT20M45BVRG |
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Numero di parte futuro | FT-APT20M45BVRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT20M45BVRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4860pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20M45BVRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT20M45BVRG-FT |
PMPB50ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB10XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB12UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB27EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB43XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB48EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEAX
Nexperia USA Inc.
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel