casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT18M80B
codice articolo del costruttore | APT18M80B |
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Numero di parte futuro | FT-APT18M80B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT18M80B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT18M80B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT18M80B-FT |
PMPB43XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB48EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB10XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB15XN,115
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPH
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPZ
Nexperia USA Inc.
PMPB16XNEAX
Nexperia USA Inc.
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel