casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT14M100S
codice articolo del costruttore | APT14M100S |
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Numero di parte futuro | FT-APT14M100S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT14M100S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 880 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3965pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT14M100S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT14M100S-FT |
PH3330L,115
NXP USA Inc.
PH3430AL,115
NXP USA Inc.
PH3830L,115
NXP USA Inc.
PH3855L,115
NXP USA Inc.
PH4025L,115
NXP USA Inc.
PH4030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH4330L,115
NXP USA Inc.
PH4530AL,115
NXP USA Inc.
PH4530L,115
NXP USA Inc.
PH4830L,115
NXP USA Inc.