casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT58M50JU2
codice articolo del costruttore | APT58M50JU2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT58M50JU2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT58M50JU2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT58M50JU2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT58M50JU2-FT |
APT47N65BC3G
Microsemi Corporation
APT5014BLLG
Microsemi Corporation
APT14F100B
Microsemi Corporation
APT24F50B
Microsemi Corporation
APT9F100B
Microsemi Corporation
APT30F50B
Microsemi Corporation
APT14M100B
Microsemi Corporation
APT14M120B
Microsemi Corporation
APT5024BLLG
Microsemi Corporation
APT34M60B
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel