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codice articolo del costruttore | APT100GT120JR |
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Numero di parte futuro | FT-APT100GT120JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT100GT120JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 123A |
Potenza - Max | 570W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.7nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GT120JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT100GT120JR-FT |
A2C35S12M3
STMicroelectronics
A2P75S12M3
STMicroelectronics
A2P75S12M3-F
STMicroelectronics
A1P35S12M3-F
STMicroelectronics
A1P25S12M3-F
STMicroelectronics
A1C15S12M3-F
STMicroelectronics
A1P25S12M3
STMicroelectronics
A1P35S12M3
STMicroelectronics
A1C15S12M3
STMicroelectronics
STGE200NB60S
STMicroelectronics
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel