casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT100GT120JR
codice articolo del costruttore | APT100GT120JR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT100GT120JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT100GT120JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 123A |
Potenza - Max | 570W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.7nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GT120JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT100GT120JR-FT |
A2C35S12M3
STMicroelectronics
A2P75S12M3
STMicroelectronics
A2P75S12M3-F
STMicroelectronics
A1P35S12M3-F
STMicroelectronics
A1P25S12M3-F
STMicroelectronics
A1C15S12M3-F
STMicroelectronics
A1P25S12M3
STMicroelectronics
A1P35S12M3
STMicroelectronics
A1C15S12M3
STMicroelectronics
STGE200NB60S
STMicroelectronics
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel