casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / A1P25S12M3
codice articolo del costruttore | A1P25S12M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-A1P25S12M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A1P25S12M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Potenza - Max | 197W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1550pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | ACEPACK™ 1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A1P25S12M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A1P25S12M3-FT |
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel