casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOWF4S60
codice articolo del costruttore | AOWF4S60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOWF4S60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | aMOS™ |
AOWF4S60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF4S60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOWF4S60-FT |
DMN10H220LVT-13
Diodes Incorporated
DMN3026LVTQ-13
Diodes Incorporated
DMN6040SVTQ-13
Diodes Incorporated
DMP2033UVT-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SVT-7
Diodes Incorporated
DMN6040SVT-7
Diodes Incorporated
DMP2035UVT-7
Diodes Incorporated
DMN3026LVTQ-7
Diodes Incorporated
DMP3065LVT-13
Diodes Incorporated
DMP3065LVT-7
Diodes Incorporated
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel