casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN10H220LVT-13
codice articolo del costruttore | DMN10H220LVT-13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DMN10H220LVT-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H220LVT-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.87A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 401pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.67W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H220LVT-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN10H220LVT-13-FT |
DMP3017SFG-7
Diodes Incorporated
DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SE-13
Diodes Incorporated
ZVP2110GTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A17GTA
Diodes Incorporated
ZXMN4A06GTA
Diodes Incorporated
DMN6068SE-13
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GTA
Diodes Incorporated
ZVP0545GTA
Diodes Incorporated
ZXMP10A18GTA
Diodes Incorporated
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel