casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOTF10N65
codice articolo del costruttore | AOTF10N65 |
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Numero di parte futuro | FT-AOTF10N65 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOTF10N65 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1645pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOTF10N65 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOTF10N65-FT |
AOC2423
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOC2401
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AOC2412
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AOC2413
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AOC2414
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AOC2415
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AOC2417
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XC4005XL-2PQ100I
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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