casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON7900
codice articolo del costruttore | AON7900 |
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Numero di parte futuro | FT-AON7900 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON7900 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 13A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON7900 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON7900-FT |
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