casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON7812
codice articolo del costruttore | AON7812 |
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Numero di parte futuro | FT-AON7812 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON7812 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 15V |
Potenza - Max | 4.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON7812 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON7812-FT |
DMP2060UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP2065UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP2075UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP2075UFDB-7
Diodes Incorporated
DMT3020LFDB-13
Diodes Incorporated
DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1030UFDBQ-13
Diodes Incorporated
DMN3032LFDBQ-13
Diodes Incorporated
DMP2160UFDBQ-7
Diodes Incorporated
DMN2041UFDB-7
Diodes Incorporated
EX256-PTQ100I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation