casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON5820
codice articolo del costruttore | AON5820 |
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Numero di parte futuro | FT-AON5820 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON5820 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.7W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON5820 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON5820-FT |
FDMS3600S
ON Semiconductor
FDMS3615S
ON Semiconductor
FDMS3622S
ON Semiconductor
FDMS3620S
ON Semiconductor
FDMS3669S
ON Semiconductor
FDMS3668S
ON Semiconductor
FDMS3660S
ON Semiconductor
FDMS3602AS
ON Semiconductor
FDMS3604S
ON Semiconductor
FDMS3606S
ON Semiconductor
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel