casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOK53S60
codice articolo del costruttore | AOK53S60 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AOK53S60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | aMOS™ |
AOK53S60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 26.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3034pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOK53S60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOK53S60-FT |
DMN2450UFD-7
Diodes Incorporated
DMN62D0LFD-7
Diodes Incorporated
DMN62D1LFD-7
Diodes Incorporated
DMN2400UFD-7
Diodes Incorporated
DMP21D6UFD-7
Diodes Incorporated
DMN2300UFD-7
Diodes Incorporated
DMN62D1LFD-13
Diodes Incorporated
DMN2400UFB-7
Diodes Incorporated
DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
DMP21D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel