codice articolo del costruttore | AOD607 |
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Numero di parte futuro | FT-AOD607 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOD607 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-4L |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOD607 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOD607-FT |
DMN63D8LDW-13
Diodes Incorporated
DMN67D8LDW-7
Diodes Incorporated
BSS138DWQ-13
Diodes Incorporated
BSS138DWQ-7
Diodes Incorporated
BSS8402DWQ-7
Diodes Incorporated
DMG6301UDW-13
Diodes Incorporated
DMG6301UDW-7
Diodes Incorporated
DMN2004DWKQ-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UDW-13
Diodes Incorporated
2N7002DW-7
Diodes Incorporated
EX256-PTQ100I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation