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Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13

Name: DMN63D8LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN63D8LDW-13
Price: 0.037096 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (682 reviews)

Numero parte MFG: DMN63D8LDW-13

quantità disponibile: 15650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.037096

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN63D8LDW-13.pdf

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DMN63D8LDW-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN63D8LDW-13
Numero di parte futuro	FT-DMN63D8LDW-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN63D8LDW-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	870nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Potenza - Max	300mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-363
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN63D8LDW-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN63D8LDW-13-FT

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