codice articolo del costruttore | AO3407 |
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Numero di parte futuro | FT-AO3407 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3407 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3407 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3407-FT |
DMN2026UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
DMN31D6UT-13
Diodes Incorporated
DMN31D6UT-7
Diodes Incorporated
DMN63D1LT-13
Diodes Incorporated
DMP1055USW-13
Diodes Incorporated
DMP1055USW-7
Diodes Incorporated
DMP2075UVT-13
Diodes Incorporated
DMP3007SPS-13
Diodes Incorporated
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel