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codice articolo del costruttore | 3SK264-5-TG-E |
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Numero di parte futuro | FT-3SK264-5-TG-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3SK264-5-TG-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | N-Channel Dual Gate |
Frequenza | 200MHz |
Guadagno | 23dB |
Tensione - Test | 6V |
Valutazione attuale | 30mA |
Figura di rumore | 2.2dB |
Corrente - Test | 10mA |
Potenza - Uscita | - |
Tensione: nominale | 15V |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-CP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SK264-5-TG-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 3SK264-5-TG-E-FT |
BF999E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBF102
ON Semiconductor
MMBF4416LT1
ON Semiconductor
MMBF5485_NB50012
ON Semiconductor
MMBFJ210
ON Semiconductor
MMBFJ212
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1
ON Semiconductor
MMBFJ310LT1
ON Semiconductor
NE55410GR-AZ
CEL
NE55410GR-T3-AZ
CEL
EP1C3T144C7N
Intel
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8N
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I3
Intel