casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 93LC56BT-I/MNY
codice articolo del costruttore | 93LC56BT-I/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-93LC56BT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
93LC56BT-I/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (128 x 16) |
Frequenza di clock | 2MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 6ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
93LC56BT-I/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 93LC56BT-I/MNY-FT |
24C00T-E/MNY
Microchip Technology
24C00T-I/MNY
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24C01CT-E/MNY
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24C01CT-I/MNY
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24C02CT-E/MNY
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24FC64FT-I/MNY
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24FC64T-I/MNY
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24LC00T-I/MNY
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24LC014HT-E/MNY
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24LC014HT-I/MNY
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A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
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XC3S200AN-4FTG256C
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XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
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5SGXEA5H1F35I2N
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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