casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 24C02CT-E/MNY
codice articolo del costruttore | 24C02CT-E/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-24C02CT-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24C02CT-E/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 1.5ms |
Tempo di accesso | 3500ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24C02CT-E/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 24C02CT-E/MNY-FT |
M95640-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25M02GVZEIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVZEIT TR
Winbond Electronics
W25M512JVEIQ
Winbond Electronics
W25M512JVEIQ TR
Winbond Electronics
W25N01GVZEIT TR
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FWPIG TR
Winbond Electronics
W25Q128JVEIM
Winbond Electronics
W25Q128JVEIM TR
Winbond Electronics
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel