casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416L15BE
codice articolo del costruttore | 71V416L15BE |
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Numero di parte futuro | FT-71V416L15BE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L15BE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-CABGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L15BE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416L15BE-FT |
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel